去除互嵌的厚光刻胶–各项同性微波等离子体的一个案例
微波等离子体是去除厚光刻胶的理想方案，如微机械和微机电系统（MEMS）的2D和3D结构里的厚胶。 微波（MW）等离子体相对于RF等离子体的这一优势至关重要：有机材料被清除时，不会损坏或改变之下的层与结构。
微波等离子体-光刻胶的各向同性快速去除
尽管RF等离子体是蚀刻薄层的最常用方法，但因其各向异性（方向性）的性质，从2D和3D结构中去除厚光刻胶并不理想。 RF等离子体中产生的反应性物质被导向基板方向，因此不能去除3D结构中的光刻胶（抗蚀剂），即如果有避免其直接暴露的保护层的话。 另外，溅射产生的热传导，将导致厚光刻胶（PR）受热变厚，在各向异性蚀刻时聚合。
Muegge的远端微波等离子体解决了这些问题
- 在远端源之外不会产生等离子体，只有自由基会到达基板。 因此，对于需要绝对避免物理影响（如离子轰击和高热负荷）的应用而言，MW辅助远程等离子体系统是理想的选择：不会发生聚合或碳化，甚至可以从大多数敏感表面（例如传感器）上去除抗蚀剂。
- 产生的自由基仅在基材表面上引发化学反应。 结果，热负荷极低，从而使各向同性蚀刻既有高速率、又无损伤。
MW辅助等离子体工艺的优势
MEMS的制造需要各种PR（光刻胶）去除。 微波等离子体既能在高选择比下调节高去除率，也能在CF4和O2敏感材料顶部进行刻蚀。 MW辅助等离子体专为快速蚀刻而不损害基板的敏感物而设计。 它能在高选择比下，以高速（> 200um / h）完全去除抗蚀剂，而不会改变底层。 产生的自由基仅在表面上进行化学反应，导致在极低的热负荷下、进行高速率的纯化学蚀刻，从而对基材保持了最低限度影响。 在基材层面没有能测量到的电场和离子，因此不会发生等离子体对关键结构的充电损伤。
MW辅助等离子体由于工艺气体（如CF4）几乎完全分解，非常符合环保要求。
