返工和去除碳基材料–不仅仅是半导体制造商面对的挑战
碳基材料的沉积在半导体工业中起着重要作用。 没有相应的光刻胶，就无法进行光刻。 碳基材料的无残渣清洗一直是、未来也是一种挑战。随着行业向先进材料的发展——如低k材料，碳掺杂的氧化物，类金刚石碳（DLC），金刚石——挑战将越来越大。 随着沉积金刚石和实验室生长金刚石市场的持续增长，拥有合适的工具清除残留的黑碳而不损坏金刚石结构至关重要。
微波等离子体–各向同性清洁意味着轻柔高效的清洁
RF-等离子体的固有性质，使基底暴露于与等离子体能量相互作用之中。离子朝基板加速，导致物理损伤并污染要清洁的材料。去除钻石上的黑碳时，微小的RF偏压就会损坏晶体结构，因此导致不可逆的变色。相反，微波辅助等离子体系统能够快速、高效地清洁，且不会对基板造成影响。1
使用MUEGGE的微波辅助等离子体系统，转移到基板的能量极低，没有离子释放到工艺腔中。结果，基板保持不变，起到作用的清洁机制是与黑碳或其他碳基残留物的化学反应。由于该反应是纯各向同性的，因此无需将残留物直接暴露于等离子体，这对于任何3D结构（如MEMS或MMS）极为有利。
1 Amorn THEDSAKHULWONG和Warawoot THOWLADDA。 金属，材料和矿物杂志。 Vol.18 No.2 pp.137-141，2008年
MUEGGE的解决方案– STP产品系列
- -微波辅助等离子体有效利用能量，形成高反应性中性粒子——自由基。 没有离子释放到工艺腔中，不会造成衬底的损坏或污染。 因此，微波辅助远程等离子体系统非常适合去除钻石或DLC上的黑碳。 基材的外观和物理特性得以保留。
- 微波辅助等离子体释放的自由基可确保平滑、纯粹的化学清洁。 其结果是物理影响极低，且各向同性的残留物去除，防止了继续损坏衬底材料。
微波辅助等离子去除炭基残留物
如图1所示，仅自由基的形成，几乎不或完全不与基板和等离子腔室发生相互作用（低温），腔室内没有离子则意味着无污染工艺。无需导入物理蚀刻，即可对纯化学清洁工艺进行微调。
微波辅助等离子体清洗的优势
微波辅助等离子体能去除碳基残留物，以及半导体应用和钻石加工的黑碳。
由于物理特性，微波辅助等离子体专为快速而轻柔蚀刻而设计，没有在RIE系统（基于RF的等离子体）中很典型的离子撞击。等离子体所产生的自由基仅在表面引发化学反应。在基板层面测不到电场和离子存在，因此也不会发生离子所导致的物理损伤。
由于CF4和NF3等工艺气体能够高效分解，微波辅助等离子体非常符合环保要求。
