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Composants plasma

Composants plasma
  • Matrice de sources plasma (grande surface)

    Numéro de poste: MA6000Y-013BC

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Zone de Plasma 700 mm x 226 mm
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Puissance de sortie [W]
    2x 3000
    Fréquence [MHz]
    2450
    Système de distribution de gaz
    Double

    Flächenplasmaquelle

    Plus de détails
  • Matrice de sources plasma (grande surface)

    Numéro de poste: MA6000Y-023BC

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Zone de Plasma 797,5 mm x 150 mm
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Puissance de sortie [W]
    2x 3000
    Fréquence [MHz]
    2450
    Système de distribution de gaz
    Double

    Flächenplasmaquelle

    Plus de détails
  • Matrice de sources plasma (grande surface)

    Numéro de poste: MA6000Y-033BC

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Zone de Plasma 520 mm x 340 mm
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Puissance de sortie [W]
    2x 3000
    Fréquence [MHz]
    2450
    Système de distribution de gaz
    Double

    Flächenplasmaquelle

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA1250C-003BC

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    1250
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-083BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-123BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-133BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA2000C-143BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    2000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails

COMPOSANTS PLASMA
La technologie des semi-conducteurs a changé notre vision du monde. Les traitements plasma ont permis de fabriquer des produits pour tous. Les sources de plasma micro-ondes à haute densité donnent de très hautes performances dans les systèmes de gravure et de revêtement qui nécessitent des taux de gravure élevés, sans charge électrique et sans endommagement du matériau.

Notre notre position de leader en tant que fabricant de composants plasma vous aidera à développer et à intégrer vos systèmes pour arriver à une entrée rapide sur le marché au coût de possession le plus bas. Notre gamme de composants plasma ‘clé en main’ comprennent des solutions pour une variété d’outils de fabrication et pour nombreux applications:

Dépôt haute densité de couches minces d’oxyde et de nitrure
Dépôt et gravure sur grandes surfaces
Retrait de SU-8
Retrait hautement sélective des matières organiques
Chimie non oxydante pour le nettoyage des matériaux sensibles à l’oxygène (procédé H2)
Nettoyage ultrafin à haute efficacité des surfaces sensibles (par ex. Capteurs) et structures 3D
Nettoyage des chambres isotropes
Procédé LIGA (lithographie, galvanoplastie et moulage)