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Composants plasma

Composants plasma
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA3000C-793BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Céramique
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA3000C-823BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA3000C-833BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA3000C-863BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA3000C-873BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA3000C-903BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source plasma à radicaux (Remote plasma Source)

    Numéro de poste: MA3000C-913BB

    Processus
    Gravure et Dépôt (Revêtement)
    Type de connexion de sortie
    Matériau Diélectrique
    Saphir
    Tension d\'alimentation Nominal [V]
    230 / 208
    Puissance de sortie [W]
    3000
    Fréquence [MHz]
    2450

    Radikalquelle (Remote-Plasma-Quelle)

    Plus de détails
  • Source de plasma atmosphérique

    Numéro de poste: MA075KA-019BF

    Processus
    Transformation des Gaz/Matériaux
    Type de connexion de sortie
    Autres
    Matériau Diélectrique
    Quartz
    Puissance de sortie [W]
    75000
    Fréquence [MHz]
    915
    Taille du guide d\'ondes
    WR975 / R9
    Réacteur Quantité de production
    outer ø131 mm. inner ø80 mm
    Plus de détails

COMPOSANTS PLASMA
La technologie des semi-conducteurs a changé notre vision du monde. Les traitements plasma ont permis de fabriquer des produits pour tous. Les sources de plasma micro-ondes à haute densité donnent de très hautes performances dans les systèmes de gravure et de revêtement qui nécessitent des taux de gravure élevés, sans charge électrique et sans endommagement du matériau.

Notre notre position de leader en tant que fabricant de composants plasma vous aidera à développer et à intégrer vos systèmes pour arriver à une entrée rapide sur le marché au coût de possession le plus bas. Notre gamme de composants plasma ‘clé en main’ comprennent des solutions pour une variété d’outils de fabrication et pour nombreux applications:

Dépôt haute densité de couches minces d’oxyde et de nitrure
Dépôt et gravure sur grandes surfaces
Retrait de SU-8
Retrait hautement sélective des matières organiques
Chimie non oxydante pour le nettoyage des matériaux sensibles à l’oxygène (procédé H2)
Nettoyage ultrafin à haute efficacité des surfaces sensibles (par ex. Capteurs) et structures 3D
Nettoyage des chambres isotropes
Procédé LIGA (lithographie, galvanoplastie et moulage)